24小时热线电话
您现在的位置: 官网首页 > 新闻资讯 > 行业新闻 >

国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会

2021-06-21 17:23来源:本站 作者:jimei 点击:

导语: 近来,国星光电受第三代半导体联盟标委会约请参加了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管热阻电学法测验办法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管功率循环实验办法》两项集体规范的起草与草案评论,助力加快第三代半导体国产化代替进程。

近来,国星光电受第三代半导体联盟标委会约请参加了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管热阻电学法测验办法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管功率循环实验办法》两项集体规范的起草与草案评论,助力加快第三代半导体国产化代替进程。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管热阻电学法测验办法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管功率循环实验办法》两项集体规范提案由工业和信息化部电子第五研讨所牵头,经CASA规范化委员会办理委员会审阅,两项提案均立项经过[1]。


《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管热阻电学法测验办法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管功率循环实验办法》规范草案线上评论会于5月26日、6月10日先后举行,国星光电研讨院代表参加了规范的线上评论并对规范修订提出了重要主张与定见。两次线上研讨会合计有三十多人来自产学研不同范畴的专家代表参加。

SiC资料比照传统的Si资料,具有电功能和热功能优越、杂散电感低、转化效率高、轻载损耗小等特色,在产品设计时能够适配更大的功率密度,更小的产品体型。然SiC的资料功能与Si的资料功能相差甚大,传统Si的热阻及可靠性测验方法并不都合适SiC资料的器材产品。SiC器材的热阻测验与功率循环测验评价,对SiC MOSFET器材的可靠性与剖析改善具有非常重要的含义。

近期,国星光电的TO系列产品已送至第三方有资质的组织,完结了相关工业级可靠性测验,SiC产品线进一步扩展,现在SiC-TO产品已开发完结5种封装大类的开发,建造6个系列化产品线:SiC-SBD 650V 2-50A系列、SiC-SBD 1200V 2-60A系列、 SiC-MOS 1200V 18-160mΩ系列、SiC-SBD 1700V 5-30A系列、SiC-SBD 3300V 1-5A系列、内绝缘型SiC-SBD/MOS 系列。

以SiC为代表的第三代半导体资料的开发与应用已写入“十四五规划”,国家在三代半范畴工作正如火如荼地推进着。跟着航天、航空、石油勘探、核能、轿车等电力电子范畴的开展,尤其是新能源轿车的快速开展,在国产代替呼声高涨及方针的推进下,我国半导体商场继续不断地升温。国星光电也在大力布局“三代半封测”事务,活跃继续加大第三代半导体的研讨开发和技术成果转化,望在国产代替的巨大宏图上奉献国星力气,为广晟集团猛进国际500强注入微弱动能。

修改:严志祥

ag亚游包杀网